摘要

本实用新型公开了一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片,包括防护壳,所述防护壳的内腔设置有硅片本体,所述防护壳的内腔开设有与硅片本体配合使用的安装槽,所述防护壳的左侧设置有连接凸块,所述防护壳的右侧开设有连接槽,所述防护壳包含有耐腐蚀涂层、耐腐蚀层和强度层,所述硅片本体包含有减反射膜、防护膜和芯层,所述耐腐蚀涂层位于耐腐蚀层的外表面。本实用新型设置了防护壳、耐腐蚀涂层、耐腐蚀层、强度层、硅片本体、减反射膜、防护膜、芯层、连接凸块、连接槽和安装槽,解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高,光利用率低,且单晶硅片的强度较低,易损坏,不便于连接的问题。