摘要

本发明公开了一种与硅双极工艺兼容的光电探测传感器,包括第一光电探测器和第二光电探测器;所述第一光电探测器包括第一器件区,第一光电探测器的第一器件区由NPN晶体管的集电区形成,M个第一光电探测器的第二器件区制作在第一光电探测器的第一器件区内,M为小于10的自然数,所述第一光电探测器的第二器件区由NPN晶体管的基区形成,第二光电探测器结构与第一光电探测器结构相同;第二光电探测器表面覆盖有铝膜。本发明具有在获得更高量子效率方面具有明显优势的有益效果,并且具有响应速度快的有益效果。