摘要

本发明属于半导体封装技术领域,具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺,包括如下步骤:用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭;硅锭制造完成后,对硅锭进行切片得到晶圆,接着进行对晶圆磨片和倒角;晶圆磨片和倒角之后,对晶圆进行化学和超声波清洗;晶圆清洗过后,利用晶圆扩晶器进行扩晶,扩晶的同时进行贴蓝膜。本发明主要用于扩晶自动化生产,工艺流程简单不复杂,速度快且省力,芯片间距可调,扩晶后芯片间距一致,大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。