摘要

本发明属于半导体技术领域,具体的说是一种硅晶圆刻蚀装置,包括电机、转盘、壳体和激励线圈,还包括晶圆固定模块和气体注入模块,所述的电机安装在壳体的正上方;所述的转盘安装在电机的电机轴上;所述的激励线圈环绕在壳体的外圈;所述的晶圆固定模块安装在转盘的下方,晶圆固定模块用于固定晶圆和通入干燥的热空气;所述的气体注入模块安装在壳体的底部,气体注入模块用于向壳体内通入刻蚀气体。本发明主要用于批量对晶圆进行刻蚀,本设备刻蚀的效率高,批量刻蚀速度快,对刻蚀气体方向可调节,刻蚀的精度高,刻蚀的更加均匀,提高产品的质量⊙