摘要

本发明的一种掩模板图案的测量方法,能精确检测掩模板上图案的变化,从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度,方案是,掩模板上图案化部分划分为各个小区域,各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记,掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化,光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化,进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果,检测方法简单有效;掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记,从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测,具有很大的实用价值和推广价值。