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本发明公开一种氮化物半导体白光发光二极管,所述V pits经过纳米位错过滤模板过滤位错后,在多量子阱区域形成均匀分布的V pits,所述V pits包含第一V pits和第二V pits,所述第一和第二V pits之间的多量子阱发出蓝光,第一V pits开口位置具有WS2/MoS2超晶格二维材料发出红光,第二V pits开口位置具有GaS/InSe超晶格二维材料发出绿光,红绿蓝光混合形成白光,降低成本,提升发光效率。