摘要

本发明涉及一种沟槽三极管及其制作方法。所述沟槽三极管包括N型衬底、形成于N型衬底上的N型外延层、形成于N型外延层表面的P型基区、贯穿P型基区并延伸至N型外延层中的多个沟槽、形成于多个沟槽侧壁的P型高掺杂区、位于多个沟槽中的P型多晶硅、形成于P型基区表面的N型区域、形成于P型多晶硅与P型高掺杂区上方的TEOS氧化层、形成于N型区域上的发射极多晶硅、贯穿TEOS氧化层且与P型多晶硅对应的接触孔、正面金属及背面金属,正面金属包括形成于发射极多晶硅上的发射极及形成于TEOS氧化层上且通过接触孔连接P型多晶硅的基极,背面金属形成于N型衬底远离N型外延层的表面且作为集电极。