摘要

本发明属于半导体工艺技术领域,具体的说是一种半导体晶圆刻蚀方法,该刻蚀方法采用如下半导体晶圆刻蚀装置,该半导体晶圆刻蚀装置包括反应桶、激励线圈一、离子加速器、固定套、反应台、震荡单元和电机,激励线圈一套设在反应桶外部,激励线圈一用于将反应桶内刻蚀气体激发成等离子体;固定套固定在气体导入管下端;离子加速器用于给等离子体加速而轰击半导体晶圆;反应台位于离子加速器正下方;电机带动震荡单元转动,震荡单元驱动反应台产生多自由度震荡转动,实现半导体晶圆上的刻蚀废料氯化铝自动脱离;本发明通过使刻蚀废料被及时有效被排除,提高了半导体晶圆的刻蚀效率和刻蚀效果。