摘要

本发明公开了一种电压抑制器,包括N型的衬底,形成在衬底的上表面的N型的第一外延层,贯穿第一外延层且与衬底接触的至少一个N型的第二外延层,自第一外延层的上表面向下形成的P型的体区,自体区的上表面向下形成的埋层以及与埋层邻接的至少一个N型的源区,形成在第二外延层一侧壁上且位于体区与第二外延层之间的第一绝缘层,形成在第一绝缘层的上表面上且延伸至源区的上表面的至少一个第二绝缘层,形成在第二外延层的上表面及第二绝缘层的上表面的至少一个多晶硅层,形成在第一外延层、多晶硅层和源区的上表面上的介质层。本发明还公开了一种上述电压抑制器的制备方法。其能实现自启动而不会被较大的电压击穿,且结构简单、成本低。